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标题: werkstoffe der Elektrotechnik [打印本页]

作者: saviolin 时间: 7.1.2004 15:12
indirekte halbleiter nichtentarte halbleiter 这两个有什么区别？分别有什么特性？

作者: 黑猪王子 时间: 7.1.2004 16:56
电子方面的问题 也许我可以回答 不过题目 .....有中文 /英文版的么

作者: quantum 时间: 8.1.2004 10:19
这两者的最大区别在于前者讲的是半导体的光学性质；后者讲的是半导体的电学性质。 indirekte Halbleiter 的中文意思是“间接带隙半导体”，是指若半导体的导带的最低能量状态和价带的最高能量状态不在 k 空间 (动量)的同一位置，则该半导体为“间接带隙半导体”。 因为一般半导体发光时要求有电子跃迁；而一般的电子跃迁又要求动量守恒，即电子必须在 k 空间 (动量) 的同一位置跳跃，所以间接带隙半导体一般不能用作发光材料。当然特殊情况下可以借助声子(phonon)的辅助得到大的动量变化来使整个系统动量守恒而发生光跃迁。 常见半导体中的“硅”(Si)就属于间接带隙半导体。 与间接带隙半导体对应的是直接带隙半导体，是指导带的最低能量状态和价带的最高能量状态在 k 空间 (动量)的同一位置的半导体。 nichtentarte halbleiter 的中文意思是“非简并半导体”，是对应于“简并半导体”的一个名词。 “简并半导体”是指当半导体中掺杂浓度很高时，导致半导体中有很多自由电子；这些自由电子一多，就互相排挤和“泡利”不相容。通俗说来就是电子不如当初电子少的时候自由自在，失去了部分活性，英文叫 degenerate, 德文是 entarten，翻译成中文叫简并 --- 意思是比方说10个电子只能当9个使了，简并掉了一个，虽然有点难转弯，倒还表达了基本意思。 “非简并半导体”就是指半导体中掺杂浓度很低时，其内电子没有简并的半导体。 对于“简并半导体”可以用玻尔兹曼 (Boltzmann) 分布来处理，对于“非简并半导体”则必须用费米-迪拉克 (Fermi-Dirac) 分布来处理。

作者: saviolin 时间: 14.1.2004 13:58
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